| IV2Q12017T4Z–-Gen2 Automotive SiC MOSFET |
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價(jià)格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：本地 |
| 最少起訂量：1只 | 發(fā)貨地：本地至全國(guó) | |
| 上架時(shí)間：2024-10-15 10:49:15 | 瀏覽量：8 | |
無錫科微半導(dǎo)體有限公司
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IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET Features ? 2 nd Generation SiC MOSFET Technology with +18V gate drive ? High blocking voltage with low on-resistance ? High speed switching with low capacitance ? High operating junction temperature capability ? Very fast and robust intrinsic body diode ? Kelvin gate input easing driver circuit design Applications ? EV Motor drivers ? Solar inverters ? High voltage DC/DC converters ? Switch mode power supplies |
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