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BW-H3TRB-C16

半導體高溫高濕反偏實驗系統(tǒng)

            ■每通道為 48 工位，48 工位中每個工位可進行 Tj 測試

            ■適用于各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET（支持耗盡型）、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進行高溫高濕反偏試驗

            ■試驗線路及試驗方法滿足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相關標準要求

            ■80 顆/每通道×16 通道＝1280 顆(滿載實驗數(shù)量)

            ■系統(tǒng)平均無問題運行時間≥10000 小時

技術特點 Technical characteristics

 ■實時監(jiān)測每個器件的反偏電壓、漏電流；

 ■Max電壓可達6000V;;

 ■對于模塊上下橋可同時加電同時監(jiān)測漏電；

 ■整個試驗過程的數(shù)據(jù)(漏電流、反偏電壓、溫度、濕度) 記錄并存儲。并輸出為Excel  報表和繪制全過程漏電流IR 曲線

 ■設定漏電上限可快速切斷該回路電壓；

 ■可根據(jù)用戶的需求，定制各種老化板及測試程序。