LPCVD設(shè)備 |
聯(lián)系人:張琪 () | 手機(jī):13606426381 |
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滿足半導(dǎo)體集成電路,電力電子器件,光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積SiO2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝。
CVD系統(tǒng)性能特點(diǎn):
硅片規(guī)格:2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片) 溫度范圍:300~1100℃ 恒溫區(qū)長(zhǎng)度及精度:200ram—1000mm(±1℃/24h) 淀積薄膜均勻性:片內(nèi)±5% 片間±5% 批間±5% 沉積膜厚度:600~15000A 系統(tǒng)極限真空度:優(yōu)于1Pa 工作壓力范圍:20~133Pa閉環(huán)控制 控制方式:工業(yè)微機(jī) 送料裝置:懸臂推拉舟、軟著陸系統(tǒng) 淀積薄膜分類:Si 3N4、SiO2、PSG、Poly-Si膜 真空泵:羅茨泵、機(jī)械泵 工藝氣路:5路氣/管。VCR接口 40KHz脈寬調(diào)制AE高頻電源 裝片量:200片/舟 |
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