| SiC MOSFET—IV2Q12017T4Z |
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價(jià)格： 元(人民幣) | 產(chǎn)地：本地 |
| 最少起訂量：1只 | 發(fā)貨地：本地至全國 | |
| 上架時(shí)間：2024-09-11 08:47:31 | 瀏覽量：14 | |
無錫科微半導(dǎo)體有限公司
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IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET
Features
? 2
nd Generation SiC MOSFET Technology with
+18V gate drive
? High blocking voltage with low on-resistance
? High speed switching with low capacitance
? High operating junction temperature capability
? Very fast and robust intrinsic body diode
? Kelvin gate input easing driver circuit design
Applications
? EV Motor drivers
? Solar inverters
? High voltage DC/DC converters
? Switch mode power supplies
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