晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 |
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價(jià)格:980000 元(人民幣) | 產(chǎn)地:陜西 |
最少起訂量:1套 | 發(fā)貨地:西安市 | |
上架時(shí)間:2024-03-15 17:57:55 | 瀏覽量:171 | |
陜西天士立科技有限公司
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經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)加工 | 公司類型: | |
所屬行業(yè):電子測(cè)量?jī)x器 | 主要客戶: | |
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聯(lián)系人:王偉 () | 手機(jī):13186093180 |
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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200
陜西天士立科技有限公司 專注半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 基礎(chǔ)信息 高壓源:1200V(選配2000V) 高流源:100A(選配200A/300A/500A) 驅(qū)動(dòng)電壓:±20V(選配±30V) 時(shí)間分辨率:1ns(選配400ps/200ps/100ps) 系統(tǒng)雜感:<20nH 測(cè)試對(duì)象:Si(SiC/GaN)IGBT,Diode,MOSFET(選配BJT) 變溫測(cè)試:常溫~150℃/200℃ 感性負(fù)載:程控電感(0.01~160mH,步進(jìn)10uH) 阻性負(fù)載:程控電阻(1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω)備用三個(gè) 測(cè)試管型:可以測(cè)試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):IEC60747-9/IEC60747-2,GB/T29332/GB/T4023
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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 試驗(yàn)原理舉例
晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 技術(shù)特點(diǎn) 1. 專注寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評(píng)測(cè),軟件程控,測(cè)試條件界面化輸入,系統(tǒng)閉環(huán)處理,自動(dòng)調(diào)節(jié)一鍵測(cè)試 2. 采用光纖驅(qū)動(dòng)信號(hào)通訊,響應(yīng)速度快,抗干擾能力強(qiáng) 3. 自動(dòng)加熱可由室溫~200℃,精度±0.1℃ 4. 測(cè)試結(jié)果Excel,JPEG波形,波形任意縮放細(xì)節(jié)展寬分析 5. 測(cè)試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實(shí)測(cè)) 6. 柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg端口開放,按設(shè)定條件匹配電阻 7. DualARM控核,DSP數(shù)據(jù)采樣計(jì)算,極大減少控制時(shí)延誤差
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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 試驗(yàn)?zāi)芰?/b> 標(biāo)配:開通特性測(cè)試單元/Turn_ON 標(biāo)配:關(guān)斷特性測(cè)試單元/Turn_OFF 標(biāo)配:二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元/Trr 標(biāo)配:柵電荷測(cè)試單元/Qg¨ 選配:容阻測(cè) 試單元/CR¨ 選配:短路測(cè)試單元/SC¨ 選配:雪崩測(cè)試單元/UIS¨ 選配:安全工作區(qū)單元/SOA¨ 選配:動(dòng)態(tài)電阻單元/
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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200 參數(shù)指標(biāo)
¨ 選配 動(dòng)態(tài)電阻Ron,dy
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晶體管動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA1200
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