| 南麟NP3400 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管 |
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價(jià)格：0.2 元(人民幣) | 產(chǎn)地：1 |
| 最少起訂量：1片 | 發(fā)貨地：1 | |
| 上架時(shí)間：2022-07-15 17:08:28 | 瀏覽量：625 | |
深圳市東誠(chéng)興電子有限公司
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30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET 30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET
描述
NP3400B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供出色的RDS(上)
?五世
低柵極電荷和高
超低導(dǎo)通電阻的密度單元設(shè)計(jì)。這
器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或用于PWM
應(yīng)用程序。
一般特征
DS =30V，ID R =5A
DS(開(kāi))(典型值。)= 43mω@ VGS = 2.5V
RDS(開(kāi))(典型值。)= 31mω@ VGS
?高功率和電流處理能力
=4.5V
收購(gòu)?無(wú)鉛產(chǎn)品
?表面貼裝封裝
應(yīng)用
? PWM應(yīng)用
?負(fù)荷開(kāi)關(guān) |
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