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中山朗立電氣有限公司
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廣州市SANIL開關(guān)SB-31A,SB-31B,SB-31AP,中山立訊電氣有限公司/中山朗立電氣銷售SUNKWANG韓國鮮光安全光幕,區(qū)域傳感器,測孔傳感器,控制器,調(diào)整計數(shù)器,旋轉(zhuǎn)凸輪開關(guān),電磁閥,電梯傳感器等.若需了解詳細(xì)的資料，歡迎留言公司網(wǎng)站或來電垂詢。
國外稱為SoftStarter。軟啟動器采用三相反并聯(lián)晶閘管作為調(diào)壓器，將其接入電源和電動機(jī)定子之間。這種電路如三相全控橋式整流電路。使用軟啟動器啟動電動機(jī)時，晶閘管的輸出電壓逐漸增加，電動機(jī)逐漸加速，直到晶閘管全導(dǎo)通，電動機(jī)工作在額定電壓的機(jī)械特性上，實現(xiàn)平滑啟動，降低啟動電流，避免啟動過流跳閘。待電機(jī)達(dá)到額定轉(zhuǎn)數(shù)時，啟動過程結(jié)束，軟啟動器自動用旁路接觸器取代已完成任務(wù)的晶閘管，為電動機(jī)正常運轉(zhuǎn)提供額定電壓，以降低晶閘管的熱損耗，延長軟啟動器的使用壽命，提高其工作效率，又使電網(wǎng)避免了諧波污染。軟啟動器同時還提供軟停車功能，軟停車與軟啟動過程相反，電壓逐漸降低，轉(zhuǎn)數(shù)逐漸下降到零，避免自由停車引起的轉(zhuǎn)矩沖擊。
有利于保護(hù)設(shè)備的運行？刂票P上的顯示功能，便于在現(xiàn)場了解設(shè)備運行情況。數(shù)字化參數(shù)設(shè)定及顯示功能直觀、方便、省時。[2]性能特點軟啟動采用軟件控制方式來平滑啟動電動機(jī)，控制方式是以軟（件）控強（電）。其控制結(jié)果將電動機(jī)啟動特性由“硬”平滑為“軟”平滑，故被稱為“軟啟動”。軟啟動又分為兩種：一種是采用變頻恒轉(zhuǎn)矩限流啟動；另一種是采用晶閘管調(diào)壓啟動，又稱智能軟啟動。兩類軟啟動的對比：技術(shù)性能。采用變頻調(diào)速啟動，啟動時具有良好的靜、動態(tài)性能，軟啟動器（圖12）軟啟動器（圖12）即使是在低速情況下也能隨意調(diào)節(jié)電動機(jī)轉(zhuǎn)矩，能以恒轉(zhuǎn)矩啟動電動機(jī)，啟動電流可以限制在的額定電流以下。采用智能軟啟動，啟動時由于轉(zhuǎn)矩是按電壓比的二次方減小。
工作原理編輯開關(guān)電源的工作過程相當(dāng)容易理解，在線性電源中，讓功率晶體管工作在線性模式，與線性電源不同的是，PWM開關(guān)電源是讓功率晶體管工作在導(dǎo)通和關(guān)斷的狀態(tài)，在這兩種狀態(tài)中，加在功率晶體管上的伏-安乘積是很小的（在導(dǎo)通時，電壓低，電流大；關(guān)斷時，電壓高，電流小）/功率器件上的伏安乘積就是功率半導(dǎo)體器件上所產(chǎn)生的損耗。與線性電源相比，PWM開關(guān)電源更為有效的工作過程是通過“斬波”，即把輸入的直流電壓斬成幅值等于輸入電壓幅值的脈沖電壓來實現(xiàn)的。開關(guān)電源伯特圖開關(guān)電源伯特圖脈沖的占空比由開關(guān)電源的控制器來調(diào)節(jié)。一旦輸入電壓被斬成交流方波，其幅值就可以通過變壓器來升高或降低。通過增加變壓器的二次繞組數(shù)就可以增加輸出的電壓值。
環(huán)境溫度：現(xiàn)般要求為-10至40度。如散熱條件好（如拿去外殼），則上限溫度可以提高到50度。故障劃分編輯變頻器故障監(jiān)測劃分狀態(tài)故障監(jiān)測：直流過/久壓、直流過流、交流過流、速度偏差過大、接地故障、缺相等。硬件故障檢測：電流板故障、觸發(fā)板故障、IGBT故障、脈沖發(fā)生器故障等。系統(tǒng)故障監(jiān)測：Watchdog故障、系統(tǒng)參數(shù)異常、時鐘故障等。通訊故障監(jiān)測：TIMEOUT、OVERRUN等。電源故障監(jiān)測：當(dāng)控制電源過高/過低時報警。欠壓故障處理編輯在變頻器維修中我們經(jīng)常會聽到過壓故障，但欠壓故障也是變頻器使用中常碰到的問題。其產(chǎn)生原因是主回路電壓低于下限引起的保護(hù)動作或整流橋某一路損壞或電網(wǎng)瞬時停電、輸入缺相等。
改變Ugs的大小，主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動功率很小。和GTR相比，其驅(qū)動系統(tǒng)比較簡單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、工作區(qū)大等優(yōu)點。但是，功率場效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢，故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物，是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。工作特點是，控制部分與場效應(yīng)晶體管相同，控制信號為電壓信號Uge,輸入阻抗很高，柵極電流I≈0，故驅(qū)動功率很小。而起主電路部分則與GTR相同。
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