| FUJI富士IGBT模塊2MBI1000VXB-170E-54價(jià)格優(yōu)惠信譽(yù)保證 |
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北京一祥聚輝科貿(mào)有限公司
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富士電機(jī)自創(chuàng)業(yè)以來(lái)已有90余年，在這悠久的歷史中，富士電機(jī)不斷革新能源技術(shù)，在產(chǎn)業(yè)和社會(huì)領(lǐng)域中為世界作出巨大貢獻(xiàn)。中國(guó)與富士電機(jī)的淵源由來(lái)已久，可追溯至1965年在四川省射洪縣引進(jìn)中國(guó)首例的閥門水輪發(fā)電機(jī)。 如今，地球正因前所未有的人口激增和工業(yè)化的急速發(fā)展，面臨著各種各樣的能源問(wèn)題和環(huán)境問(wèn)題。即便是已經(jīng)擁有全球性經(jīng)濟(jì)規(guī)模，每年保持快速增長(zhǎng)的中國(guó)，也日益重視如何構(gòu)筑一個(gè)環(huán)保和節(jié)能雙贏的和諧社會(huì)這一課題。 IGBT的主要I-V特性： IGBT你既可以把它當(dāng)做一個(gè)MOSFET與PiN二極管串聯(lián)，也可以當(dāng)做是一個(gè)寬基區(qū)的PNP被MOSFET驅(qū)動(dòng)(Darlington結(jié)構(gòu))， 前者可以用來(lái)理解它的特性，后者才是他的原理。它看起來(lái)就是一個(gè)MOSFET的I-V曲線往后挪了一段(>0.7V)，因?yàn)闇系篱_啟產(chǎn)生電流必須滿足漂移區(qū)電流與漂移區(qū)電阻乘積超過(guò)0.7V，才能使得P+襯底與N-drift的PN結(jié)正向?qū)，這樣才可以work，否則溝道開啟也不能work的。
最后給大家吹吹牛吧，大家經(jīng)常會(huì)聽到第一代IGBT一直到第六代IGBT，這些是什么意思呢？ 1) 第一代：他就是IGBT的雛形，最簡(jiǎn)單的原理結(jié)構(gòu)圖那種，所以他必須要提高N-drift來(lái)提高耐壓，所以導(dǎo)通電阻和關(guān)斷功耗都比較高，所以沒(méi)有普及使用。 2) 第二代：PT-IGBT，由于耗盡層不能穿透N+緩沖層，所以基區(qū)電場(chǎng)加強(qiáng)呈梯形分布，所以可以減小芯片厚度從而減小功耗。這主要是西門子公司1990~1995年的產(chǎn)品BSM150GB120DN1("DN1"就是第一代的意思)。它主要在600V上有優(yōu)勢(shì)(類似GTR特性)，到1200V的時(shí)候遇到外延厚度大成本高、且可靠性低的問(wèn)題(摻雜濃度以及厚度的均勻性差)。 3)第三代：NPT-IGBT，不再采用外延技術(shù)，而是采用離子注入的技術(shù)來(lái)生成P+集電極(透明集電極技術(shù))，可以精準(zhǔn)的控制結(jié)深而控制發(fā)射效率盡可能低，增快載流子抽取速度來(lái)降低關(guān)斷損耗，可以保持基區(qū)原有的載流子壽命而不會(huì)影響穩(wěn)態(tài)功耗，同時(shí)具有正溫度系數(shù)特點(diǎn)，所以技術(shù)比較成熟在穩(wěn)態(tài)損耗和關(guān)斷損耗間取得了很好的折中，所以被廣泛采用。代表公司依然是西門子公司率先采用FZ(區(qū)熔法)代替外延的批量產(chǎn)品，代表產(chǎn)品BSM200GB120DN2，VCE>1200V, Vce(sat)=2.1V。 4)第四代：Trench-IGBT，最大的改進(jìn)是采用Trench結(jié)構(gòu)，是的溝道從表面跑到了垂直面上，所以基區(qū)的PIN效應(yīng)增強(qiáng)，柵極附近載流子濃度增大，從而提高了電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)減小了導(dǎo)通電阻，同時(shí)由于溝道不在表面，所以消除了JFET效應(yīng)，所以柵極密度增加不受限制，而且在第四代IGBT繼續(xù)沿用了第三代的集電極P+implant技術(shù)同時(shí)加入了第二代的PT技術(shù)作為場(chǎng)終止層，有效特高耐壓能力等。需要使用雙注入技術(shù)，難度較大。這個(gè)時(shí)候是英飛凌的時(shí)代 了，Infineon的減薄技術(shù)世界第一，它的厚度在1200V的時(shí)候可以降低到120um~140um(NPT-IGBT需要200um)，甚至在600V可以降低到70um。 5)第五代：FS-IGBT和第六代的FS-Trench，第五、第六代產(chǎn)品是在IGBT經(jīng)歷了上述四次技術(shù)改進(jìn)實(shí)踐后對(duì)各種技術(shù)措施的重新組合。第五代IGBT是第四代產(chǎn)品“透明集電區(qū)技術(shù)”與“電場(chǎng)中止技術(shù)”的組合。第六代產(chǎn)品是在第五代基礎(chǔ)上改進(jìn)了溝槽柵結(jié)構(gòu)，并以新的面貌出現(xiàn)。 目前我國(guó)的總體能源利用效率為33%左右，比發(fā)達(dá)國(guó)家低約10個(gè)百分點(diǎn)。當(dāng)前我國(guó)節(jié)能工作面臨較大壓力。 根據(jù)“十一五規(guī)劃”要求，到2010年中國(guó)的能源使用效率將在2005年基礎(chǔ)上提高20%。在新能源領(lǐng)域，中國(guó)已成為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的第一大國(guó)，風(fēng)力發(fā)電的累計(jì)裝機(jī)容量也連續(xù)4年實(shí)現(xiàn)翻番，這意味著中國(guó)新能源市場(chǎng)蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)。無(wú)論是太陽(yáng)能電池、風(fēng)力發(fā)電還是新能源汽車，其系統(tǒng)應(yīng)用都需要把直流電轉(zhuǎn)換為交流電，承擔(dān)這一任務(wù)的部件稱為逆變器。逆變器的核心器件是IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，也是價(jià)格最高的部件之一，在國(guó)外，IGBT技術(shù)及產(chǎn)品不斷更新?lián)Q代，而我國(guó)目前還不具備大批量生產(chǎn)IGBT的能力，主要都是珠海南車、北車生產(chǎn)的用于高鐵的IGBT技術(shù)，還有華潤(rùn)微電子(想收購(gòu)Fairchild)，還有華宏宏力貌似也有，現(xiàn)在國(guó)家重點(diǎn)扶持8寸的IGBT技術(shù)。
北京一祥聚輝科貿(mào)有限公司 主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品為國(guó)際知名品牌的元器件產(chǎn)品，目前經(jīng)銷產(chǎn)品：富士IGBT模塊、LEM傳感器、英飛凌IGBT，西門康IGBT，bussmann熔斷器、LS產(chǎn)電產(chǎn)品等等，并根據(jù)客戶的需求不斷完善我們的產(chǎn)品線。我們通過(guò)多年的積累，已經(jīng)具備了豐富的市場(chǎng)推廣和銷售運(yùn)作經(jīng)驗(yàn)，我們有技術(shù)服務(wù)支持提供給客戶售前售中和售后支持。
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