| CRTD170N10NMOSFETTO-252柵極電流失真度輸出功率 |
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價(jià)格：1.05 元(人民幣) | 產(chǎn)地：廣東省深圳市 |
| 最少起訂量：1 | 發(fā)貨地：廣東省深圳市 | |
| 上架時(shí)間：2025-04-02 02:37:07 | 瀏覽量：4 | |
深圳市飛捷士科技有限公司
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華晶CRTD170N10N Trench N-MOSFET 100V, 15m?, 53A 特征 使用CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽技術(shù) 極低的導(dǎo)通電阻RDS(ON) 優(yōu)秀的QgxRDS(ON)產(chǎn)品(FOM) 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn) 應(yīng)用 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng) 電池管理 UPS（不可中斷的電源）
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