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1. N溝道MOS管：當(dāng)柵極相對于源極為正電壓時(shí)，會(huì)吸引電子在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，使得源極到漏極可以導(dǎo)電。
2. P溝道MOS管：工作原理類似，但溝道是由空穴形成的，柵極相對于源極需施加負(fù)電壓以吸引空穴，創(chuàng)建導(dǎo)電路徑。

惠海半導(dǎo)體的MOS管有中低壓NMOS和PMOS管，可搭配芯片。
我司MOS具有低內(nèi)阻、低開啟、低結(jié)電容等特性，專注高品質(zhì) MOS 管研發(fā)、應(yīng)用及銷售。
支持30V，60V，100V，120V，150V等耐壓，有SOT23，PDFN3*3，PDFN5*5，SOT89-3，SOP-8，TO-252等多種封裝類型，適用于各種領(lǐng)域。
常規(guī)型號(hào)：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 30N10 40N10 17N06 20N06 30N06 50N06 70N06 20N03 30N03 50N03 70N03等等。