華晶的IGBT，型號(hào)有:BT25T120CKD、BT40T120CKF、BT40T60ANFK、IGF40T120F、IGF25T120D、CRG60T60AN3H等等。
IGBT作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子以及航空航天、國(guó)防軍工等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，在新興領(lǐng)域如新能源，新能源汽車等也被廣泛應(yīng)用。
IGBT憑借其高輸入阻抗、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小等優(yōu)點(diǎn)在MOSFET和BJT的基礎(chǔ)上有效降低了n漂移區(qū)的電阻率，大大提高了器件的電流能力。目前IGBT已經(jīng)能夠覆蓋從600V—6500V的電壓范圍。
我國(guó)擁有很大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，目前IGBT等高端器件的研發(fā)與國(guó)際大公司相比有著較明顯的差距，IGBT技術(shù)集成度高又導(dǎo)致了較高的市場(chǎng)集中度。跟國(guó)內(nèi)廠商相比，英飛凌、 三菱和富士電機(jī)等國(guó)際廠商目前占有絕對(duì)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。本期從國(guó)外主流廠商的系列產(chǎn)品著手，看目前位于行業(yè)頭部的IGBT產(chǎn)品。
Infineon IGBT模塊
三菱IGBT模塊
T/T1 系列搭載新推出的采用CSTBT*1結(jié)構(gòu)，能夠減少功率損耗。同時(shí)在模塊中內(nèi)置了三相整流器，逆變器和CIB。在封裝上采用了相變熱界面材料，提高了熱循環(huán)壽命，大大提高工業(yè)設(shè)備的可靠性。與三菱現(xiàn)有的其他模塊相比，CIB模塊使得緊湊型變頻器外型尺寸約可減小36%，滿足市場(chǎng)小型化的需求。
T/T1 系列同樣在過(guò)載工況下容許的較高運(yùn)行溫度高至175 ℃，發(fā)射極電壓較大為650V，電流為100A，在工業(yè)應(yīng)用上足夠覆蓋不同工況。
3級(jí)變頻器用 IGBT模塊
這個(gè)系列是3級(jí)變頻器專用的IGBT模塊。按照3電平逆變器的要求，對(duì)采用CSTBT結(jié)構(gòu)的IGBT規(guī)格進(jìn)行了優(yōu)化。端子位置經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，1in1/2in1產(chǎn)品的外型尺寸為130mm×67mm，4in1型外型尺寸為115mm×82mm，在尺寸上做到了更小，同時(shí)提高了設(shè)計(jì)自由度。
同時(shí)，這個(gè)系列擁有共射連接的雙向開(kāi)關(guān)模塊，兼容3電平逆變器，功耗約減少了30%。加之采用了新型封裝，大幅減少了雜散電感，對(duì)逆變器電路結(jié)構(gòu)起到了極大的簡(jiǎn)化作用。