隨著人們生活節(jié)奏的加快，快充在充電領域中伴演著非常重要的角色。為了出門攜帶方便，充電器小型化是必然，提高充電器功率密度已成為重點研究課題。這樣就需要提高功率器件的開關頻率、使用新的半導體材料和生產工藝。比如華潤微華晶超結mos管使用，使用GaN和SiC材料等。
在PD快充中，一般會用到三顆MOSFET,分別是初級高壓MOSFET、次級SR-MOSFET、VBUS-MOSFET，華潤微超結MOS在PD快充上的應用，有相應具體型號與其相對應。與同行相比，在EMI和效率上擁有出色的性能表現(xiàn)。
