Mosfet檢測試分析  低價優(yōu)惠  華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構

Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構。具有CNAS和CMA認證資質，擁有多個設備一流、水平先進、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”，對外提供檢測測試和驗證等服務。

Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業(yè)務包含功率器件參數檢測、半導體可靠性檢測、半導體環(huán)境老化試驗分析、應用級系統(tǒng)分析、半導體失效分析、車用分立器件可靠性測試認證、車用功率模塊可靠性測試認證、力學實驗、氣候環(huán)境實驗等領域，

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服務目錄

Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

一、失效分析測試·Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：開短路檢測 4

(2) 檢測項目：漏電檢測 4

(3) 檢測項目：產品外觀或形貌確認 4

(4) 檢測項目：尺寸測量 4

(5) 檢測項目：超聲波檢測(SAT) 4

(6) 檢測項目：X-ray檢測 5

(7) 檢測項目：推拉力檢測 5

(8) 檢測項目：有害物質檢測 5

(9) 檢測項目：剖面分析 5

(10) 檢測項目：樣品開封 5

二、電學檢測 ·Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：直流參數 6

(2) 檢測項目：雪崩能量 6

(3) 檢測項目∶柵極電阻 6

(4) 檢測項目：開關時間（器件級） 6

(5) 檢測項目：開關時間（模塊級） 6

(6) 檢測項目：反向恢復（模塊級） 6

(7) 檢測項目：反向恢復（器件級） 6

(8) 檢測項目：柵極電荷（模塊級） 7

(9) 檢測項目：柵極電荷（器件級） 7

(10) 檢測項目：短路耐量能力（模塊級） 7

(11) 檢測項目：短路耐量能力（器件級） 7

(12) 檢測項目：結電容 7

(13) 檢測項目：熱阻性能（器件級） 7

(14) 檢測項目：熱阻性能（模塊級） 7

(15) 檢測項目：參數曲線掃描 8

(16) 檢測項目：ESD能力 8

(17) 檢測項目：正向浪涌能力 8

三、應用系統(tǒng)檢測 ·Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：電氣參數 9

(2) 檢測項目：保護功能測試 9

(3) 檢測項目：元器件應力測試 9

(4) 檢測項目：電氣/抗電強度測試 9

(5) 檢測項目：絕緣電阻測試 10

(6) 檢測項目：接地電阻測試 10

(7) 檢測項目：低溫測試 10

(8) 檢測項目：高溫測試 10

(9) 檢測項目：高加速壽命/應力測試 10

(10) 檢測項目：靜電放電抗擾度測試 10

(11) 檢測項目：雷擊浪涌抗擾度測試 10

(12) 檢測項目：電源端子騷擾電壓/傳導測試 11

四、可靠性測試 ·Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：功率循環(huán)齷 (PC) 12

(2) 檢測項目：高溫門極試驗(HTGB) 12

(3) 檢測項目：低溫工作壽命試驗(LTOL) 12

(4) 檢測項目：低溫儲存試驗(LTSL) 12

(5) 檢測項目：高低溫循環(huán)試驗(TC) 12

(6) 檢測項目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL) 12

(7) 檢測項目：無偏壓的高加速應力試驗(UHAST) 13

(8) 檢測項目：預處理試驗(Pre-con) 13

(9) 檢測項目：高溫反偏試驗(HTRB) 13

(10) 檢測項目：高溫工作壽命試驗(HTOL) 13

(11) 檢測項目：高溫儲存試驗(HTSL) 13

(12) 檢測項目：高溫高濕試驗(THB) 13

(13) 檢測項目：間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC) 13

(14) 檢測項目：高加速應力試驗(HAST) 14

(15) 檢測項目：高溫蒸煮試驗(PCT) 14

(16) 檢測項目：潮氣敏感度等級試驗(MSL) 14

(17) 檢測項目：可焊性試驗(Solderability) 14

一、失效分析測試·Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：開短路檢測

? 覆蓋產品：IC

? 檢測能力：滿足128pin及以下引腳IC的open/short測試、曲線跟蹤分析、漏電流測試；最大電壓7V，電壓精度1mV，最大電流 500mA，電礪度 10nA；

? 執(zhí)行標準：客戶要求

(2) 檢測項目：漏電檢測

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光誘導)兩種偵測方 式；加電方式A：電壓20mV-200V，電流10nA-1A，電流精度 10fA；加電方式B：最大電壓3000V，最大電流5A。

? 執(zhí)行標準：客戶要求

(3) 檢測項目：產品外觀或形貌確認

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：立體成像/最大45倍；金相成像/最大1000倍；數碼成像/最大6000倍；

? 執(zhí)行標準：客戶要求

(4) 檢測項目：尺寸測量

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：立體成像/最大45倍；金相成像/最大1000倍；數碼成像/最大6000倍；

? 執(zhí)行標準：客戶要求

(5) 檢測項目：超聲波檢測(SAT)

? 覆蓋產品∶ IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力∶具有分層面積百分比計算，缺陷尺寸標識，厚度與距離測量等功能。可進行A-scan（點掃描）、B-scan（縱向掃描）、 C-scan（橫向掃描）、Through-scan（透射掃描）。

? 執(zhí)行標準∶國軍標

(6) 檢測項目：X-ray檢測

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計算，缺陷尺寸標識，厚度與距離測量等功能�？蛇M行二維掃描、三維CT掃描。

? 執(zhí)行標準：國軍標

(7) 檢測項目：推拉力檢測

? 覆蓋產品∶ IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力測試頭，測試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測試頭，測試范圍0-100Kg，推刀接受面寬0-8891um。

? 執(zhí)行標準∶ 國軍標

(8) 檢測項目：有害物質檢測

? 覆蓋產品∶IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力∶ 支持鉛（Pb）、鎘（Cd）、汞（Hg）、六價鉻（Cr6+）、多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及鹵素等其他化學元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/Br檢測限可達2ppm。

? 執(zhí)行標準∶ IEC

(9) 檢測項目：剖面分析

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。

? 執(zhí)行標準：客戶要求

(10) 檢測項目：樣品開封

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：激光開封、化學開封、樣品剝層。

? 執(zhí)行標準：客戶要求

二、電學檢測·Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：直流參數

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產品；

? 檢測能力：檢測最大電壓7500V檢測最大電流6000A

? 執(zhí)行標準：國標，IEC

(2) 檢測項目：雪崩能量

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力：檢測最大電壓2500V檢測最大電流200A

? 執(zhí)行標準：美軍標

(3) 檢測項目∶柵極電阻

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT及第三代半導體器件

? 檢測能力∶檢測阻抗∶0.1Ω～50Ω

? 執(zhí)行標準∶JEDEC

(4) 檢測項目：開關時間（器件級）

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件；

? 檢測能力：最大電壓1200V 最大電流200A

? 執(zhí)行標準：美軍標，國標，IEC等

(5) 檢測項目：開關時間（模塊級）

? 覆蓋產品：IGBT等模塊產品

? 檢測能力：檢測最大電壓2700V檢測最大電流4000A

? 執(zhí)行標準：國標，IEC

(6) 檢測項目：反向恢復（模塊級）

? 覆蓋產品：IGBT等模塊產品

? 檢測能力：檢測最大電壓2700V檢測最大電流4000A

? 執(zhí)行標準：國標，IEC

(7) 檢測項目：反向恢復（器件級）

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力：最大電壓1200V 最大電流200A

? 執(zhí)行標準：美軍標，國標，IEC等

(8) 檢測項目：柵極電荷（模塊級）

? 覆蓋產品：IGBT等模塊產品

? 檢測能力：檢測最大電壓2700V檢測最大電流4000A

? 執(zhí)行標準：國標，IEC

(9) 檢測項目：柵極電荷（器件級）

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力：最大電壓1200V 最大電流200A

? 執(zhí)行標準：美軍標，國標，IEC等

(10) 檢測項目：短路耐量能力（模塊級）

? 覆蓋產品：IGBT等模塊產品

? 檢測能力：檢測最大電壓2700V，檢測最大電流10000A

? 執(zhí)行標準：國標，IEC

(11) 檢測項目：短路耐量能力（器件級）

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力：檢測最大電壓1200V，檢測最大電流1000A；

? 執(zhí)行標準：美軍標，國標，IEC等

(12) 檢測項目：結電容

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT及第三代半導體單管器件

? 檢測能力：檢測最大電壓3000V

? 執(zhí)行標準：IEC

(13) 檢測項目：熱阻性能（器件級）

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體單管器件

? 檢測能力：功率250W

? 執(zhí)行標準：美軍標，JEDEC

(14) 檢測項目：熱阻性能（模塊級）

? 覆蓋產品：IGBT等模塊產品

? 檢測能力：最大功率4000W

? 執(zhí)行標準：美軍標，JEDEC

(15) 檢測項目：參數曲線掃描

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件的l-V、C-V曲線

? 檢測能力：檢測最大電壓3000V檢測最大電流1500A溫度-70°C~180°C

? 執(zhí)行標準：美軍標，IEC等

(16) 檢測項目：ESD能力

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、IC等產品

? 檢測能力：HBM最大電壓8000V；MM最大電壓800V

? 執(zhí)行標準：美軍標，ANSI，JEDEC等

(17) 檢測項目：正向浪涌能力

? 覆蓋產品：DIODE (Si/SiC)、整流橋；

? 檢測能力：最大電流800A

? 執(zhí)行標準：美軍標，國標

三、應用系統(tǒng)檢測·Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：電氣參數

? 覆蓋產品：開關電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。

? 檢測能力：低壓AC/DC電源：單相最大輸入電壓/功率為 300V/3KVA；最大輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW；最大輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相最大輸入電壓/功率為 500V/30KVA；最大輸出電壓/功率：700V/30KW；電機控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(2) 檢測項目：保護功能測試

? 覆蓋產品：開關電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。

? 檢測能力：低壓AC/DC電源：單相最大輸入電壓/功率為 300V/3KVA；最大輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電 源：最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW；最大輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相最大輸入電壓/功率為 500V/30KVA；最大輸出電壓/功率：700V/30KW；電機控制板： 直流輸入電壓/功率100V/5KW

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(3) 檢測項目：元器件應力測試

? 覆蓋產品：開關電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板、鋰電保護板。

? 檢測能力：最大峰值電壓：1.5KV；最大有效值/峰值電流：30A/50A；溫度：260°C

? 執(zhí)行標準：元器件規(guī)格，客戶要求等

(4) 檢測項目：電氣/抗電強度測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：交流耐壓范圍：(0~5)KV/40mA；直流耐壓范圍：(0~6)KV/9999uA

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(5) 檢測項目：絕緣電阻測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(6) 檢測項目：接地電阻測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：30A/600mΩ

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(7) 檢測項目：低溫測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：溫度：-70℃

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(8) 檢測項目：高溫測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：溫度：~180℃

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

(9) 檢測項目：高加速壽命/應力測試

? 覆蓋產品∶電子電氣產品

? 檢測能力∶溫度范圍∶（-100～+200）℃℃;溫度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空臺）

? 執(zhí)行標準∶國標，IEC，客戶要求等

(10) 檢測項目：靜電放電抗擾度測試

? 覆蓋產品∶電子電氣產品

? 檢測能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶（±2～±8）KV空氣靜電放電電壓范圍∶（±2～±25）KV

? 執(zhí)行標準∶國標，IEC，客戶要求等

(11) 檢測項目：雷擊浪涌抗擾度測試

? 覆蓋產品∶電子電氣產品

? 檢測能力∶1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶（0.25～10）KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶（0～6）KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω

? 執(zhí)行標準∶國標，IEC，客戶要求等；

(12) 檢測項目：電源端子騷擾電壓/傳導測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：9KHz~ 30MHz

? 執(zhí)行標準：國標，IEC，客戶要求等

四、可靠性測試·Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：功率循環(huán)齷 (PC)

? 覆蓋產品∶IGBT模塊

? 檢測能力∶△Tj=100℃電壓電流最大1800A，12V

? 執(zhí)行標準∶ IEC 客戶自定義

(2) 檢測項目：高溫門極試驗(HTGB)

? 覆蓋產品∶MOSFET、SiC MOS等單管器件

? 檢測能力∶溫度150℃;電壓2000V

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(3) 檢測項目：低溫工作壽命試驗(LTOL)

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度-80℃ 電壓2000V

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(4) 檢測項目：低溫儲存試驗(LTSL)

? 覆蓋產品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度-80℃

? 執(zhí)行標準∶ 美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(5) 檢測項目：高低溫循環(huán)試驗(TC)

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度范圍∶-80℃~220℃

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(6) 檢測項目：穩(wěn)態(tài)功率試驗(SSOL)

? 覆蓋產品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶△Tj≥100℃，電壓電流最大48V，10A

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(7) 檢測項目：無偏壓的高加速應力試驗(UHAST)

? 覆蓋產品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度130℃ 濕度85%

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(8) 檢測項目：預處理試驗(Pre-con)

? 覆蓋產品∶所有SMD類型器件

? 檢測能力∶設備滿足各個等級的試驗要求

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(9) 檢測項目：高溫反偏試驗(HTRB)

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度150℃; 電壓2000V

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(10) 檢測項目：高溫工作壽命試驗(HTOL)

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度150℃，電壓2000V

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(11) 檢測項目：高溫儲存試驗(HTSL)

? 覆蓋產品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度150℃;

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(12) 檢測項目：高溫高濕試驗(THB)

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度180℃ 濕度范圍∶10%~98%

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(13) 檢測項目：間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC)

? 覆蓋產品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶△Tj≥100℃ 電壓電流最大48V，10A

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(14) 檢測項目：高加速應力試驗(HAST)

? 覆蓋產品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶ 溫度130℃/110℃ 濕度85%

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(15) 檢測項目：高溫蒸煮試驗(PCT)

? 覆蓋產品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度121℃ 濕度100%

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(16) 檢測項目：潮氣敏感度等級試驗(MSL)

? 覆蓋產品∶所有SMD類型器件

? 檢測能力∶設備滿足各個等級的試驗要求

? 執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(17) 檢測項目：可焊性試驗(Solderability)

? 覆蓋產品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶有鉛、無鉛均可進行

執(zhí)行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

五、其它測試·Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”專業(yè)的第三方檢測機構。具有CNAS和CMA認證資質，擁有多個設備一流、水平先進、專業(yè)人員、制度規(guī)范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”，對外提供檢測測試和驗證等服務。

Mosfet檢測試分析_低價優(yōu)惠_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業(yè)務包含功率器件參數檢測、半導體可靠性檢測、半導體環(huán)境老化試驗分析、應用級系統(tǒng)分析、半導體失效分析、車用分立器件可靠性測試認證、車用功率模塊可靠性測試認證、力學實驗、氣候環(huán)境實驗等領域，