公司現(xiàn)采用成熟的低氧工藝，磁體的氧含量可以控制在1000ppm內(nèi)。可以滿足較高性能 的工藝要求。近年又通過技術(shù)開發(fā)，逐漸研發(fā)了滲鏑技術(shù)工藝，大大的提高了磁體的內(nèi)稟矯頑力，磁體Hcj 可以提高4000-8000KOe。滿足客戶高溫老化要求同時增加產(chǎn)品的市場競爭力。研發(fā)團(tuán)隊經(jīng)過嚴(yán)格的過程控制方法，突破了細(xì)化晶粒工藝，磁體的晶粒尺寸可以控制在4-6nm如圖，晶粒尺寸細(xì)小均勻，大幅度提高磁體內(nèi)稟矯頑力。
